分析压电效应当中MEMS传感器原用

作者:教育

  压电材料是指受到压力作用在其两端面会出现电荷的一大类单晶或多晶的固体材料,它是进行能量转换和信号传递的重要载体。最早报道材料具有压电特性的是法国物理学家居里兄弟,1880年他们发现把重物放在石英晶体上,晶体某些表面会产生电荷,电荷量与压力成正比,并将其成为压电效应。压电效应可分为正压电效应和逆压电效应两种。某些介电体在机械力作用下发生形变,使介电体内正负电荷中心发生相对位移而极化,以致两端表面出现符号相反的束缚电荷,其电荷密度与应力成比例。这种由“压力”产生“电”的现象称为正压电效应。反之,如果将具有压电效应的介电体置于外电场中,电场使介质内部正负电荷位移,导致介质产生形变。这种由“电”产生“机械变形”的现象称为逆压电效应。

  压电单晶是指按晶体空间点阵长程有序生长而成的晶体。这种晶体结构无对称中心,因此具有压电性。如石英晶体、镓酸锂、锗酸锂、锗酸钛以及铁晶体管铌酸锂、钽酸锂等。压电单晶材料的生长方法包括水热法、提拉法、坩埚下降法和泡生法等。

  压电陶瓷则泛指压电多晶体, 是指用必要成份的原料进行混合、成型、高温烧结,由粉粒之间的固相反应和烧结过程而获得的微细晶粒无规则集合而成的多晶体, 具有压电性的陶瓷称压电陶瓷。压电陶瓷材料具有良好的耐潮湿、耐磨和耐高温性能,硬度较高,物理和化学性能稳定。压电陶瓷材料包括钛酸钡BT、锆钛酸铅PZT、改性锆钛酸铅、偏铌酸铅、铌酸铅钡锂PBLN、改性钛酸铅PT等。

  压电薄膜材料是原子或原子团经过或溅射的方法沉积在衬底上而形成的,其结构可以是费静态、多晶甚至是单晶。压电薄膜制备的器件不需要使用价格昂贵的压电单晶,只要在衬底上沉积一层很薄的压电材料,因而具有经济和省料的特点。而且制备薄膜过程中按照一定取向来沉积薄膜,不需要进行极化定向和切割等工艺。另外,利用压电薄膜制备的器件应用范围广泛、制作简单、成本低廉,同时其能量转换效率高,还能与半导体工艺集成,符合压电器件微型化和集成化的趋势。

  目前应用较为广泛的压电薄膜材料主要有氮化铝AlN)、氧化锌(ZnO)和 PZT系列的压电薄膜材料。性能比较如下表所示:

  AlN是一种具有纤锌矿结构的重要III-V族氮化物,其结构稳定性高。与ZnO和PZT压电薄膜相比较,AlN薄膜的压电响应较低,但是其优点在于AlN薄膜的声波速较高,这就使得AlN薄膜可以用来制备高频下如GHz的滤波器件和高频谐振器等。此外,AlN压电薄膜是一种很好的高温材料,因为AlN材料的压电性在温度为1200℃时依旧良好,所以AlN压电薄膜器件能够适应高温环境,该薄膜材料还具有很高的化学稳定性,在腐蚀性工作环境下薄膜器件依旧能够正常工作而不受影响。AlN材料还具有良好的热传导性能,在器件工作时会及时将产生的热量传导出去,不会因为产热过多而减少器件的使用寿命。由于AlN薄膜材料的多方面性能优点使其得到了相应的应用。例如基于AlN压电薄膜的体声波谐振器(FBAR),其谐振频率可达GHz,在通讯领域得到了广泛的应用。

  ZnO与AlN一样具有纤锌矿结构。高质量高c轴择优取向的ZnO具有很好的压电性能。ZnO晶格常数与硅衬底相差不多,所以晶格匹配度高。目前制备洁净度高的ZnO薄膜技术已经很成熟。然而,ZnO很大的缺陷在于难以用于恶劣的环境,由于其是两性氧化物,所以抗腐蚀的能力很弱,这就影响了其在一些特定环境下的应用。

  锆钛酸铅是由PbTiO3和PbZrO3组成的二元系固溶体,其化学式为Pb(Zr1-xTIx)O3,简写为PZT。PbTIO3和PbZrO3均是ABO3型钙钛矿结构,所以PZT也是钙钛矿结构。此外,还可以在PZT中添加其它微量元素(如铌、锑、锡、锰、钨等)来改善性能。

  PZT薄膜是目前应用最为广泛的压电材料之一,就是高压电特性的PZT材料已经被大量应用在了扬声器、超声成像探头、超声换能器、蜂鸣器和超声电机等电子器件中。最早人们利用溶胶-凝胶法制备了PZT薄膜,并在MEMS器件中进行实际应用,如驱动器、换能器和压力传感器。随着薄膜制备技术的提高,开始涌现出多种制备手段,并且也利用多种技术制备了PZT压电薄膜,如磁控溅射技术、脉冲激光沉积技术(PLD)、化学气相沉积(CVD)和金属化合物气相沉积技术等。PZT压电薄膜与非铁电的ZnO材料相比较,最重要的优点就是PZT材料具有铁电性,在一定的外加电场和温度条件下,PZT材料内部电畴发生转动,自发极化方向重新确定,这样使得在多晶材料中原本随机排列的极化轴通过电场的作用取向排列而产生了净压电响应。所以PZT材料的压电性能要高于ZnO材料,是ZnO的两倍以上。在光电子学、微电子学、微机电系统和集成光学等领域,PZT薄膜已经被广泛应用。

  PZT薄膜材料具有高介电常数、低的声波速度、高的耦合系数,横向压电系数和纵向压电系数在三者之中最高,也被视为三者之中最为有前途的压电薄膜材料,但是PZT薄膜制备过程复杂,与MEMS工艺兼容性较差,制备过程须严格控制各组分的比例,压电特性受到晶向、成分配比、颗粒度等因素影响,重复制备高质量的PZT薄膜存在较大困难。目前工业界最常采用的压电材料仍以AlN为主流。

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  DRV5056是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁南极的磁通密度。该器件可用于各种应用中的精确定位传感。 具有单极磁响应,模拟输出在没有磁场时驱动0.6 V,在应用南磁极时增加。该响应最大化了感应一个磁极的应用中的输出动态范围。四种灵敏度选项可根据所需的感应范围进一步最大化输出摆幅。 该器件采用3.3 V或5 V电源供电。检测垂直于封装顶部的磁通量,并且两个封装选项提供不同的感测方向。 该器件采用比率式架构,可在外部时最小化V CC 容差的误差模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为参考。此外,该器件还具有magnettemperature补偿功能,可抵消磁体在-40C至+ 125C宽温度范围内的线性性能漂移情况。 特性 单极线性霍尔效应磁传感器 采用3.3 V和5V电源供电具有0.6V静态偏移的模拟输出: 最大化电压摆幅以实现高精度 磁性灵敏度选项(在V CC = 5 V): A1:200 mV /mT,20 mT范围 A2:100 mV /mT,3...

  HDC2080器件是一款集成的湿度和温度传感器,可在小型DFN封装中以极低的功耗提供高精度测量。电容式传感器包括新的集成数字功能和加热元件,以消散冷凝和水分。 HDC2080数字功能包括可编程中断阈值,可提供警报和系统唤醒,无需微控制器连续监控系统。与可编程采样间隔,低功耗和1.8V电源电压相结合,HDC2080是专为电池供电系统而设计。 HDC2080为各种环境监测和物联网(IoT)应用提供高精度测量功能,如智能恒温器和智能家居助手。对于印刷电路板(PCB)区域至关重要的设计,可通过HDC2010获得较小的CSP封装选项,并与HDC2080完全兼容。 对于具有严格功率预算限制的应用,自动测量模式使HDC2080能够自动启动温度和湿度测量。此功能允许用户将微控制器配置为深度睡眠模式,因为HDC2080不再依赖于微控制器来启动测量。 HDC2080中的可编程温度和湿度阈值允许器件发送硬件中断以在必要时唤醒微控制器。此外,HDC2080的功耗显着降低,有助于最大限度地减少自热并提高测量精度。 HDC2080出厂校准温度精度为0.2C,相对湿度精度为2%。 特性 ...

  HDC2010是一款采用超紧凑WLCSP(晶圆级芯片级封装)的集成式湿度和温度传感器,能够以超低功耗提供高精度测量.HDC2010的传感元件位于器件底部,有助于HDC2010免受粉尘,灰尘以及其他环境污染物的影响,从而更加稳定可靠。电容式传感器包括新的集成数字特性和用于消散冷凝和湿气的加热元件.HDC2010数字特性包括可编程中断阈值,可提供警报/系统唤醒,而无需微控制器持续监控系统。同时,HDC2010具有可编程采样间隔,固有功耗较低,并且支持1.8V电源电压,非常适合电池供电系统。 HDC2010为各种环境监测应用和物联网(IoT)(如智能恒温器,智能家居助理和可穿戴设备)提供高精度测量功能.HDC2010还可用于为冷链运输和易腐货物的储存提供临界温度和湿度数据,以帮助确保食品和药物等产品新鲜送达。 ħ DC2010经过工厂校准,温度精度为0.2C,相对湿度精度为2%,并配备了加热元件,可消除冷凝和湿气,从而增加可靠性.HDC2010支持的工作温度范围为-40C至125 C,相对湿度范围为0%至100%。 特性 相对湿度范围为0%至100% 湿度精...

  DRV5012器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。 当南磁极靠近封装顶部并且超出B OP 阈值时,该器件会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且超出B RP 阈值, B OP 和B RP 以提供可靠切换。 p>

  通过使用内部振荡器,DRV5012器件对磁场进行采样,并根据SEL引脚以20Hz或2.5kHz的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。 此器件通过1.65V至5.5V的V CC 工作,并采用小型X2SON封装。 特性 行业领先的低功耗特性 可通过引脚选择的采样率: SEL =低电平:使用1.3A(1.8V)时为20Hz SEL =高电平:使用142A(1.8V)时为2.5kHz V CC 工作电压范围为1.65V至5.5V 高磁性灵敏度:2mT(典型值) 可靠磁滞: 4mT(典型值) 推挽式CMOS输出 小型纤薄X2SON封装 运行温度范围:-40C...

  DRV5056-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围广泛。 此模拟输出配备特色的单极磁响应,无磁场时可驱动0.6V的电压,存在南磁极时电压会升高。对于感应一个磁极的应用,此响应可以最大限度提高输出动态范围.4种灵敏度选项可以基于所需的感应范围进一步最大限度提高输出摆幅。 该器件由3.3V或5V电源供电。它可感测到到直管封装顶部的磁通量,两个封装选项提供不同的感应方向。 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 进行此时,该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体漂移,在广泛的-40C至+ 150 C温度范围内实现线性特性。 特性 单极线性霍尔效应磁传感器 由3.3V和5V电源供电 模拟输出,提供0.6V静态失调电压: 最大限度提高电压摆幅以实现高精度 磁性灵敏度选项(V CC = 5V时): A1:200mV /mT,20mT范围 A2:100mV...

  DRV5055-Q1器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围广泛。 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时,模拟输出可驱动1/2 V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的检测范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压。 该器件可检测垂直于封装顶部的磁通量,两个封装选项提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时,可以消除此外,该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体温漂,在广泛的-40C至+ 150C温度范围内实现线性特性。 特性 比例式线性霍尔效应磁传感器 由 3.3V 和 5V 电源供电 模拟输出,提供 VCC/2 静态失调电压 磁性灵敏度选项(VCC = 5V 时): A1:100mV/mT,21mT 范围 A2:50mV/mT,42mT 范围 A3:25mV/mT,85mT 范围 ...

  DRV5055器件是一款线性霍尔效应传感器,可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测,应用范围广泛低功耗是一个关键问题。 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时,模拟输出可驱动1 /2V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化,四个灵敏度选项可以根据所需的感应范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压。 它可检测垂直于封装顶部的磁通量,而且两个封装选项提供不同的检测方向。 该器件使用比例式架构,当外部模数转换器(ADC)使用相同的V CC 作为其基准电压时,可以消除V CC 容差产生的误差。此外,该器件还具有磁体温度补偿功能,可以抵消磁体漂移,在较宽的-40C至125C温度范围内实现线性性能。 特性 所有商标均为其各自所有者的财产。 比例式线性霍尔效应磁传感器 由3.3V和5V电源供电 模拟输出,提供V CC /2静态失调电压 磁性灵敏度选项(V CC = 5V时): A1 :100mV /mT,21mT范围 A2:...

  HDC1080是一款具有集成温度传感器的数字湿度传感器,其能够以超低功耗提供出色的测量精度.HDC1080支持较宽的工作电源电压范围,并且相比竞争解决方案,该器件可供各类常见应用提供低成本和低功耗优势。湿度和温度传感器均经过出厂校准。 特性 相对湿度精度为2%(典型值) 温度精度为0.2C(典型值) 高湿度下具有出色的稳定性 14位测量分辨率 睡眠模式的电流为100nA 平均电源电流: 1sps,11位相对湿度(RH)测量时为710nA 1sps,11位RH与温度测量时为为1.3A 电源电压范围:2.7V至5.5V 3mm x 3mm小型器件封装 I 2 C接口 应用 制热,通风与空调控制(HVAC) 智能温度调节装置和室温监视器 大型家用电器 打印机 手持式计量表 医疗设备 无线) ...

  DRV5032器件是一款超低功耗数字开关霍尔效应传感器,专为最紧凑型系统和电池电量敏感型系统而设计。器件可提供多种磁性阈值,采样率,输出驱动器和封装以适配各种应用。 当施加的磁通量密度超过B OP 阈值时,器件会输出低电压。输出会保持低电压,直到磁通量密度低于乙 RP ,随后输出将驱动高电压或变成高阻抗,具体取决于器件版本。通过集成内部振荡器,该器件可对磁场进行采样,并以20Hz或5Hz的速率更新输出,以实现最低电流消耗。 此器件可在1.65V至5.5V的V CC 范围内工作,并采用标准SOT-23和小型X2SON封装。 特性 行业领先的超低功耗 5Hz版本:0.54A,1.8V 20Hz版本:1.6A,3V V CC 工作电压范围为1.65V至5.5V 磁性阈值选项(最大B OP ): 3.9 mT,最高灵敏度 4.8mT,高灵敏度 9.5 mT,中等灵敏度 63mT,最低灵敏度 ...

  LMT90是一款精准的集成电路温度传感器,此传感器能够使用一个单一正电源来感测-40C至+ 125C的温度范围.LMT90的输出电压与摄氏(摄氏温度)温度(+ 10mV /C)成线性正比,并且具有一个+ 500mV的DC偏移电压。此偏移在无需负电源的情况下即可读取负温度值。对于-40C至+ 125C的温度范围,LMT90的理想输出电压范围介于+ 100mV至+ 1.75V之间.LMT90在无需任何外部校准或修整的情况下即可在室温下提供3C的精度,并在整个-40C至+ 125C温度范围内提供4C精度.LMT90的晶圆级修整和校准确保了低成本和高精度.LMT90的线mV偏移和出厂校准简化了要求读取负温度的单电源环境中所需要的电路.LMT90的静态电流少于130A,因此在空气不流动环境中自发热被限制在极低的0.2 C水平上。 LMT90是一款具有 所有商标均为其各自所有者的财产。 应用范围 工业领域 制热,通风与空调控制(HVAC) 磁盘驱动器 汽车用 便携式医疗仪器 ...

  LMT86-Q1是精密CMOS温度传感器,典型精度为0.4C(最大值为2.7C),线性记录输出电压与温度。 2.2V电源电压工作,5.4A静态电流和0.7ms上电时间,有效的功率循环架构可最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗。 LMT86-Q1器件符合AEC-Q100 0级标准,在整个工作温度范围内保持2.7C的最大精度,无需校准;这使得LMT86-Q1适用于信息娱乐,集群和动力系统等汽车应用。 LMT86-Q1在宽工作范围内的精度和其他特性使其成为热敏电阻的绝佳替代品。 对于具有不同平均传感器增益和相当精度的器件,请参考可比替代器件 LMT8x系列中的替代器件。 特性 LMT86-Q1符合AEC-Q100标准,适用于汽车应用: 器件温度等级0:-40C至+ 150C 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESDClassification Level C6 非常精确:0.4C典型 2.2 V低工作 平均传感器增益-10.9 mV /C ...

  LMT85是一款高精度CMOS温度传感器,其典型精度为0.4C(最大值为2.7C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.8V工作电源电压,5.4A静态电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构,以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗.LMT85LPG穿孔TO-92S封装快速热时间常量支持非板载时间温度敏感型应用,例如烟雾和热量探测器。得益于宽工作范围内的精度和其他特性,使得LMT85成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件了解LMT8x系列中的替代器件。 特性 LMT85LPG(TO-92S封装)具有快速热时间常量,典型值为10s(气流速度为1.2m /s) 非常精确:典型值0.4C 1.8V低压运行 -8.2mV /C的平均传感器增益 5.4A低静态电流 宽温度范围:-50C至150C 输出受到短路保护 具有50A驱动能力的推挽输出

  LMT70是一款带有输出使能引脚的超小型,高精度,低功耗互补金属氧化物半导体(CMOS)模拟温度传感器LMT70几乎适用于所有高精度,低功耗的经济高效型温度感测应用,例如物联网(IoT)传感器节点,医疗温度计,高精度仪器仪表和电池供电设备.LMT70也是RTD和高精度NTC /PTC热敏电阻的理想替代产品。 多个LMT70可利用输出使能引脚来共用一个模数转换器(ADC)通道,从而简化ADC校准过程并降低精密温度感测系统的LMT70还具有一个线性低阻抗输出,支持与现成的微控制器(MCU)/ADC无缝连接.LMT70的热耗散低于36W,这种超低自发热特性支持其在宽温度范围内保持高精度。 LMT70A具有出色的温度匹配性能,同一卷带中取出的相邻两个LMT70A的温度最多相差0.1C。因此,对于需要计算热量传递的能量计量用而言,LMT70A是一套理想的解决方案。 特性 精度: 20C至42C范围内为0.05C(典型值)或0.13 C(最大值) -20C至90C范围内为0...

  TMP75B-Q1是一款集成数字温度传感器,此传感器具有一个可由1.8V电源供电运行的12位模数转换器(ADC),并且与行业标准LM75和TMP75引脚和寄存器兼容。此器件采用SOIC-8和VSSOP-8两种封装,不需要外部元件便可测温.TMP75B-Q1能够以0.0625C的分辨率读取温度,额定工作温度范围为-40C至125C。 TMP75B-Q1特有系统管理总线(SMBus)和两线制接口兼容性,并且可在同一总线上,借助SMBus过热报警功能支持多达8个器件。利用可编程温度限值和ALERT引脚,传感器既可作为一个独立恒温器运行,也作为一个针对节能或系统关断的过热警报器运行。

  厂家校准的温度精度和抗扰数字接口使得TMP75B-Q1成为其他传感器和电子元器件温度补偿的首选解决方案,而且无需针对分布式温度感测进行额外的系统级校准或复杂的电路板局布线非常适用于各类汽车应用中的热管理和保护,而且是PCB板装NTC热敏电阻的高性能替代元件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: ...

  LM98714是一款完全集成的高性能16位,45 MSPS信号处理解决方案,适用于数码彩色复印机,扫描仪和其他图像处理应用。采用相关双采样(CDS)的创新架构实现了高速信号吞吐量,CDS通常用于CCD阵列,或采样和保持(S /H)输入(用于接触式图像传感器和CMOS图像传感器)。信号路径采用8位可编程增益放大器(PGA),9位偏移校正DAC和每个输入独立控制的数字黑电平校正环路。 PGA和偏移DAC独立编程,为三个输入中的每一个提供唯一的增益和偏移值。然后将信号路由至45 MHz高性能模数转换器(ADC)。全差分处理通道具有出色的抗噪能力,具有-74dB的极低本底噪声。 16位ADC具有出色的动态性能,使LM98714在图像复制链中透明。 特性 LVDS /CMOS输出 LVDS /CMOS像素速率输入时钟或ADC输入时钟 用于CCD或CIS传感器的CDS或S /H处理 每个通道的独立增益/偏移校正 每个通道的数字黑电平校正环 可编程输入钳位电压 灵活的CCD /CIS传感器定时发生器 ...

  LMT89器件是一款高精度模拟输出CMOS集成电路温度传感器,工作温度范围为-55C至130C。其工作电源范围当前指定LMT89器件的传递函数为抛物线C的环境温度下的精度通常为1.5C。温度误差线性增加,并且在极端温度范围时达到一个2.5C的最大值。此温度范围受电源电压的影响。当电源电压范围为2.7V至5.5V时,温度范围的上下限分别130C和-55C。当电源电压降至2.4V时,下限值将变为-30C,而上限值将保持在130C。 工业 制热,通风与空调控制(HVAC) 汽车 磁盘驱动器 便携式医疗仪器 计算机 电池管理 打印机 电源模块 传真机 移动电话

  汽车 所有商标均为其各自所有者的财产。所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比模拟温度传感器 Local Sensor Accuracy (Max) (+/- C) ...

  LMT84-Q1是一款精密CMOS温度传感器,其典型精度为0.4C(最大值为2.7C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.5V工作电源电压,5.4A静态电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构,以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗。 LMT84-Q1器件符合AEC-Q100 0级标准,在整个工作温度范围内可保持2.7C的最大精度,且无需校准;因此LMT84-Q1适用于汽车应用,例如信息娱乐系统,仪表组和动力传动系统。得益于宽工作范围内的精度和其他特性,使得LMT84-Q1成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件 特性 LMT84-Q1符合AEC-Q100标准且适用于汽车应用: 器件温度等级0:-40C至+ 150C 器件人体放电模型(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件CDM ESD分类等级C6 非常精确:典型值0.4C 1.5V低压运行 -5...

  TMP75和TMP175器件属于数字温度传感器,是负温度系数(NTC)和正温度系数(PTC)热敏电阻的理想替代产品。无需校准或外部组件信号调节即可提供典型值为1C的精度。器件温度传感器为高度线性化产品,无需复杂计算或查表即可得知温度。片上12位模数转换器(ADC提供低至0.0625C的分辨率。这两款器件采用行业标准LM75 SOIC-8和MSOP-8封装。 TMP175和TMP75与SMBus,两线器件允许一条总线都具有SMBus报警功能。 TMP175和TMP75 TMP175和TMP75器件的额定工作温度范围为-40C至+125 ℃。 TMP75生产单元完全通过可追溯NIST的传感器测试,并且已借助可追溯NIST的设备使用ISO /IEC 17025标准认可的校准进行验证。末尾新增了一段内容 特性 TMP175:27个地址 TMP75:8个地址,美国国家标准与技术研究所(NIST)可追溯 数字输出:SMBus...

  LMT85-Q1是一款高精度CMOS温度传感器,其典型精度为0.4C(最大值为2.7C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.8V工作电源电压,5.4A静态电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构,以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗.LMT85-Q1器件符合AEC-Q100 0级标准,在整个工作温度范围内可保持2.7C的最大精度,且无需校准;因此LMT85-Q1适用于汽车应用,例如信息娱乐系统,仪表组和动力传动系统。得益于宽工作范围内的精度和其他特性,使得LMT85-Q1成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件 特性 LMT85-Q1符合AEC-Q100标准且适用于汽车应用: 器件温度等级0:-40C至+ 150C 器件人体放电模型(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件CDM ESD分类等级C6 非常精确:典型值0.4C 1.8V低压运行 -8...

  TMP112系列器件是数字温度传感器,专为需要高精度的高精度低功耗NTC /PTC热敏电阻替代产品而设计.TMP112A和TMP112B具有0.5C的精度,经优化分别在3.3V和1.8V的工作电压下提供最佳PSR性能,而TMP112N则提供1C的精度。这些温度传感器具有高线性度,无需复杂计算或查表载可得知温度。片载12位模数转换器提供的分辨率低至0.0625C。 1.6mm×1.6mm SOT563封装尺寸较SOT23封装减小68%.TMP112系列具有SMBus,两线 C接口兼容性,并可在同一总线上支持多达四个器件。此外,该器件还具备具备SMBus报警功能。器件的额定工作电压范围是1.4V至3.6V,整个工作范围内最大静态电流为10A。 TMP112系列专为进行扩展温度测量而设计,适用于通信,计算机,消费类产品,环境,工业和仪表应用中,低功耗是一个关键问题。器件的额定工作温度范围为-40C至+ 125C。 TMP112系列生产单元已经过100%的传感器测试,具有NIST可追溯的特点,并已借助NIST可追溯的设备使用ISO /IEC 17025标准认可的校准要求进行验证。 ...

  TMP106是一款双线串行输出温度传感器,采用WCSP封装。 TMP106不需要外部元件,能够读取分辨率为0.0625C的温度。 TMP106具有SMBus兼容的双线最多允许两个器件接通一辆公共汽车TMP106还具有SMBus报警功能。 TMP106非常适用于各种通信,计算机,消费,环境,工业和仪器仪表应用中的扩展温度测量。 特性 两个地址 数字输出:双线位,用户可选择 精度: 2.0C(最大值)-25C至+ 85C 3.07deg; C(最大值) )-40C至+ 125C 低静态电流:50A,0.1A待机 无需上电顺序,我 2 C PULLUPS可以在V +之前启用 应用程序 笔记本电脑 计算机外围热保护 手机 li>

  电池管理 恒温控制 环境监测和暖通空调 ...

  TMP103是一款采用4焊球晶圆级芯片规模封装(WCSP)的数字输出温度传感器.TMP103读取温度的分辨率可达1℃。 TMP103特有一个兼容I 2 C和SMBus接口的双线制接口。此外,该接口还支持多器件存取(MDA)命令,允许主控制与总线上的多个器件同时进行通信,从而不必向总线单独发送命令。 最多可并联8个TMP103并由主机轻松进行读取.TMP103尤其适合必须监视多个温度测量区域的空间受限类功率敏感型应用。 TMP103的额定运行温度范围为-40C至+ 125C。中) 特性 多器件访问(MDA): 全局读/写操作 兼容I 2 C和SMBus的接口 分辨率:8位 精度:1C(-10C至100C范围内的典型值) 低静态电流: 0.25Hz频率下的工作I Q 为3A 关断电流为1A 电源范围:1.4V至3.6V 数字输出 4焊球晶圆级芯片(WC...

  LMT87器件是一款精密CMOS温度传感器,其典型精度为0.4C(最大值为2.7C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系.2.7V工作电源电压,5.4A静态电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构,以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗.LMT87LPG穿孔TO-92S封装快速热时间常量支持非板载时间温度敏感型应用,例如烟雾和热量探测器。得益于宽工作范围内的精度和其他特性,使得LMT87成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件了解LMT8x系列中的替代器件。 特性 LMT87LPG(TO-92S封装)具有快速热时间常量,典型值为10s(气流速度为1.2m /s) 非常精确:典型值0.4C 2.7V低压运行 -13.6mV /C的平均传感器增益 5.4A低静态电流 宽温度范围:-50C至150C 输出受到短路保护 具有50A驱动能力的推挽输出

  LMT87-Q1器件是一款精密CMOS温度传感器,其典型精度为0.4C(最大值为2.7C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系.2.7V工作电源电压,5.4A静态电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构,以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗.LMT87-Q1器件符合AEC-Q100 0级标准,在整个工作温度范围内可保持2.7C的最大精度,且无需校准;因此LMT87-Q1适用于汽车应用,例如信息娱乐系统,仪表组和动力传动系统。得益于宽工作范围内的精度和其他特性,使得LMT87-Q1成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件 特性 LMT87-Q1符合AEC-Q100标准且适用于汽车应用: 器件温度等级0:-40C至+ 150C 器件人体放电模型(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件CDM ESD分类等级C6 非常精确:典型值0.4C 2.7V低压运行 ...

  TMP102器件是一款数字温度传感器,非常适合需要高精度的NTC /PTC热敏电阻更换。该器件提供0.5C的精度,无需校准或外部元件信号调理。 IC温度传感器是高度线性的,不需要复杂的计算或查找表来得出温度。片上12位ADC的分辨率低至0.0625C。 1.6 mm×1.6 mm SOT-563封装的占位面积比SOT-23封装小68%。 TMP102器件具有SMBus,双线 C接口兼容性,并允许一条总线上最多四个器件。该器件还具有SMBus报警功能。该器件的工作电压范围为1.4至3.6 V,在整个工作范围内的最大静态电流为10A。 TMP102器件非常适合各种通信中的扩展温度测量,计算机,消费者,环境,工业和仪器仪表应用。该器件的工作温度范围为40C至125C。 TMP102生产单元100%经过NIST可溯源传感器测试,并经过设备验证NIST可通过ISO /IEC 17025认证校准进行追溯。 特性 SOT-563封装(1.6毫米×1.6毫米)比SOT-23占地面积小68% 无校准精度: 2.0C(最大值)...

  TMP100和TMP101器件是数字温度传感器,适用于负温度系数(NTC)和正温度系数(PTC)热敏电阻更换。这些器件的典型精度为1C,无需校准或外部元件信号调理。设备温度传感器是高度线性的,不需要复杂的计算或查找表来获得温度。片上12位ADC的分辨率低至0.0625C。这些器件采用6引脚SOT-23封装。 TMP100和TMP101器件具有SMBus,双线 C接口兼容性。 TMP100设备允许一条总线上最多八个设备。 TMP101器件提供SMBus报警功能,每条总线最多三个器件。 TMP100和TMP101器件是各种通信,计算机,消费类,环境,工业和仪器仪表应用中扩展温度测量的理想选择。 指定了TMP100和TMP101器件适用于-55C至125C的温度范围。 特性 数字输出:SMBus,双线 C接口兼容性 分辨率:9至12位,用户可选择 准确度: 1C(典型值)-55C至125C 2C(最大值)-55C至125C ...

  LMT84 是一款精密 CMOS 温度传感器,其典型精度为 0.4C(最大值为 2.7C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系。1.5V 工作电源电压、5.4A 静态电流和 0.7ms 开通时间可实现有效的功率循环架构,以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电 应用 的功耗。LMT84 LPG 穿孔 TO-92S 封装快速热时间常量支持非板载时间温度敏感型 应用, 例如烟雾和热量探测器。 得益于宽工作范围内的精度和其他 特性, 使得 LMT84 成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅 类似替代器件 了解 LMT8x 系列中的替代器件。 特性 LMT84LPG(TO-92S封装)具有快速热时间常量,典型值为10s(气流速度为1.2m /s) 非常精确:典型值0.4C 1.5V低压运行 -5.5mV /C的平均传感器增益 5.4A低静态电流 宽温度范围:-50C至150C 输出受到短路保护 具有50A驱动能力的推挽输出

  LMT86 和 LMT86-Q1 是精密 CMOS 温度传感器,其典型精度为 0.4C(最大值为 2.7C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系。2.2V 工作电源电压、5.4A 静态电流和 0.7ms 加电时间可实现有效的功率循环架构,以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电 应用 的功耗。LMT86LPG 穿孔 TO-92S 封装快速热时间常量支持非板载时间温度敏感型 应用, 例如烟雾和热量探测器。LMT86-Q1 器件符合 AEC-Q100 0 级标准,在整个工作温度范围内可保持 2.7C 的最大精度,且无需校准;因此 LMT86-Q1 适用于汽车 应用, 例如信息娱乐系统、仪表组和动力传动系统。得益于宽工作范围内的精度和其他 特性, LMT86 和 LMT86-Q1 成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅 类似替代器件 了解 LMT8x 系列中的替代器件。 特性 LMT86-Q1符合AEC-Q100标准,适用于汽车应用: 器件温度等级0:-40C至+ 150C 器件人体放电模式(H...

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